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硅锗的性质

硅锗的性质

(德)Erich Kasper主编;余金中译
  • 作者(德)Erich Kasper主编;余金中译
  • 出版社北京:国防工业出版社
  • 标注页数251 页
  • 文件页数267 页
  • 文件大小8.60 MB
  • 出版时间2002
  • ISBN7118028835
内容简介
《硅锗的性质》由31位来自德国、美国、加拿大、英国、日本等国Si基异质结构和应用领域的教授们撰稿,是一本论述SiGe/Si知识的权威性专著。《硅锗的性质》共七章,第一章综述了SiGe应变层系统的一些总体性质;第二章至第六章给出了应变的和弛豫的SiGe合金的具体材料性质,论述了SiGe材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、磁学特性、表面性质、光吸收和光谱等方面的内容;第七章介绍了一些代表性的SiGe/Si器件的结构和特性。 《硅锗的性质》是半导体领域的学者和工程技术人员的必读书,适于材料专业和半导体专业的科技人员、研究生、博士生阅读,还可供物理领域中的广大科技人员作为手册进行查阅。 继Si之后,SiGe/Si是研究得最多、最深入的一类Si基异质材料。应变的和弛豫的SiGe已经成为电子集成电路和光电子集成电路的非常重要的材...
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