Effect of Low Temperature Annealing on the Surface Conductivity of Si in the Si-SiO2-Al System
Cheroff, G.; Fang, F.; Hochberg, F.
- 期刊名称IBM Journal of Research and Development
- 作者Cheroff, G.; Fang, F.; Hochberg, F.
- 卷第8卷
- 期第4期
- 印刷ISSN0018-8646
- 电子ISSN0018-8646
- 文件大小475.75KB
- 发表时间1964-09
- DOI10.1147/rd.84.0416
- 页码416-421