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Schottky-barrier field-effect transistors of 3C-SiC

Schottky-barrier field-effect transistors of 3C-SiC

Yoshida, S.; Daimon, H.; Yamanaka, M.; Sakuma, E.; Misawa, S.; Endo, K.

期刊名称Journal of Applied Physics
作者Yoshida, S.; Daimon, H.; Yamanaka, M.; Sakuma, E.; Misawa, S.; Endo, K.
卷第60卷
期第8期
印刷ISSN0021-8979
文件大小496.55KB
发表时间1986
DOI10.1063/1.337751

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