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The Effects of Dopant Profiles on the Device Parapmetrs of p-i-n and n-i-p a-Si Solar Cells

The Effects of Dopant Profiles on the Device Parapmetrs of p-i-n and n-i-p a-Si Solar Cells

Jeffrey, F. R.; Vernstrom, G. D.; Weber, M.; Epstein, K. A.

期刊名称MRS Proceedings
作者Jeffrey, F. R.; Vernstrom, G. D.; Weber, M.; Epstein, K. A.
卷第70卷
电子ISSN1946-4274
文件大小278.57KB
发表时间1986-1
DOI10.1557/proc-70-531

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