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Theoretical analysis of the chemical activivity of noble gas atoms in silicon

Theoretical analysis of the chemical activivity of noble gas atoms in silicon

S. G. Gagarin; A. V. Mudryi; A. L. Pushkarchuk; A. G. Ulyashin; Yu. A. Teterin

作者S. G. Gagarin; A. V. Mudryi; A. L. Pushkarchuk; A. G. Ulyashin; Yu. A. Teterin
卷第133卷
期第2期
印刷ISSN0370-1972
电子ISSN1521-3951
文件大小361.68KB
发表时间1986
DOI10.1002/pssb.2221330208
页码499-503

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