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Defect-impurity interaction in 111In implanted silicon

Defect-impurity interaction in 111In implanted silicon

M. Deicher; G. Grübel; E. Recknagel; Th. Wichert

作者M. Deicher; G. Grübel; E. Recknagel; Th. Wichert
印刷ISSN0168-583X
文件大小290.64KB
发表时间1987
DOI10.1016/s0168-583x(87)80066-6
页码325-328

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