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The electrical properties of doped silicon, grown by Molecular-Beam-Epitaxy (MBE)

R. A. A. Kubiak; S. M. Newstead; W. Y. Leong; R. Houghton; E. H. C. Parker; T. E. Whall

作者R. A. A. Kubiak; S. M. Newstead; W. Y. Leong; R. Houghton; E. H. C. Parker; T. E. Whall
卷第42卷
期第3期
印刷ISSN0947-8396
电子ISSN1432-0630
文件大小334.80KB
发表时间1987-03
DOI10.1007/bf00620599
页码197-200