Leakage-current-induced hot-carrier degradation of p-channel MOSFETs

• 期刊名称IEEE Electron Device Letters
• 作者Rodder, M.
• 卷第9卷
• 期第11期
• 印刷ISSN0741-3106
• 电子ISSN1558-0563
• 文件大小258.81KB
• 发表时间1988-11
• DOI10.1109/55.9280
• 页码573-575