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A comparison of 20 kV and 50 kV e-beam lithography for MOS circuit fabrication

A comparison of 20 kV and 50 kV e-beam lithography for MOS circuit fabrication

S. Vaidya; D.K. Atwood; E.H. Kung; K.K. Ng

作者S. Vaidya; D.K. Atwood; E.H. Kung; K.K. Ng
卷第9卷
印刷ISSN0167-9317
文件大小421.95KB
发表时间1989
DOI10.1016/0167-9317(89)90050-6
页码213-216

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