High-speed 1.55μm GainAsP/InP mass transport laser diode on semi-insulating substrate

• 期刊名称Electronics Letters
• 作者Abe, Y.; Ohishi, T.; Sugimoto, H.; Ohtsuka, K.; Matsui, T.; Ogata, H.
• 卷第25卷
• 期第22期
• 印刷ISSN0013-5194
• 文件大小237.91KB
• 发表时间1989
• DOI10.1049/el:19891010