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N-channel accumulation layer MOSFET operating at 4 K

N-channel accumulation layer MOSFET operating at 4 K

Ruby N. Ghosh; Robert H. Silsbee

作者Ruby N. Ghosh; Robert H. Silsbee
卷第30卷
期第12期
印刷ISSN0011-2275
文件大小415.52KB
发表时间1990
DOI10.1016/0011-2275(90)90209-u
页码1069-1073

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