Behavior of high dose O+-implanted Si/Ge/Si structures

Zhang, J. P.; Tang, Y. S.; Robinson, A. K.; Bussmann, U.; Hemment, P. L. F.; Sealy, B. J.; Newstead, S. M.; Powell, A. R.; Whall, T. E.; Parker, E. H. C.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Zhang, J. P.; Tang, Y. S.; Robinson, A. K.; Bussmann, U.; Hemment, P. L. F.; Sealy, B. J.; Newstead, S. M.; Powell, A. R.; Whall, T. E.; Parker, E. H. C.
卷第57卷
期第9期
印刷ISSN0003-6951
文件大小498.24KB
发表时间1990
DOI10.1063/1.103395

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Behavior of high dose O+-implanted Si/Ge/Si structures