Characterization of AlxGa1−xAs/GaAs Heterostructures by Electroreflectance Depth Profiling
- 作者R. Goldhahn; H. Röppischer; M. Gericke; C.-E. Richter
- 卷第119卷
- 期第1期
- 印刷ISSN1862-6319
- 文件大小376.75KB
- 发表时间1990
- DOI10.1002/pssa.2211190121
- 页码183-189
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