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Trap Tunneling in HgCdTe n+ −p Junctions Fabricated by Ion Implantation

Trap Tunneling in HgCdTe n+ −p Junctions Fabricated by Ion Implantation

H. Heukenkamp; W. Hoerstel

作者H. Heukenkamp; W. Hoerstel
卷第120卷
期第2期
印刷ISSN1862-6319
文件大小618.41KB
发表时间1990
DOI10.1002/pssa.2211200221
页码485-496

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