The influence of growth conditions on the composition of GaInAsP grown by gas-source molecular beam epitaxy

• 作者K. Tappura; T. Hakkarainen; K. Rakennus; M. Hovinen; H. Asonen
• 卷第112卷
• 期第1期
• 印刷ISSN0022-0248
• 文件大小461.68KB
• 发表时间1991
• DOI10.1016/0022-0248(91)90908-n
• 页码27-32