GaN single crystal films on silicon substrates grown by MOVPE
Takao Nagatomo; Ichiro Ochiai; Shigeo Ookoshi; Osamu Omoto
- 作者Takao Nagatomo; Ichiro Ochiai; Shigeo Ookoshi; Osamu Omoto
- 卷第42卷
- 期第16期
- 印刷ISSN0042-207X
- 文件大小244.20KB
- 发表时间1991
- DOI10.1016/0042-207x(91)91368-x
- 页码1069-1070