Structural properties of thin silicide layers formed by high-dose metal implantation
- 作者A. Vantomme; M.F. Wu; G. Langouche; H. Vanderstraeten; Y. Bruynseraede
- 卷第53卷
- 印刷ISSN0169-4332
- 文件大小424.19KB
- 发表时间1991
- DOI10.1016/0169-4332(91)90277-q
- 页码278-282
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