Indium desorption during MBE growth of strained InGaAs layers
J.-P. Reithmaier; H. Riechert; H. Schlötterer; G. Weimann
- 作者J.-P. Reithmaier; H. Riechert; H. Schlötterer; G. Weimann
- 卷第111卷
- 印刷ISSN0022-0248
- 文件大小427.85KB
- 发表时间1991
- DOI10.1016/0022-0248(91)91010-8
- 页码407-412