Digital GaAs FET versus Si FET gate delay as predicted from the electron velocity

• 作者Fulkerson, D.E.
• 卷第39卷
• 期第3期
• 印刷ISSN0018-9383
• 电子ISSN1557-9646
• 文件大小320.34KB
• 发表时间1992
• DOI10.1109/16.123507
• 页码745-748