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In situ doping of GedxSi1−x with arsenic by rapid thermal processing chemical vapor deposition

In situ doping of GedxSi1−x with arsenic by rapid thermal processing chemical vapor deposition

Jung, K. H.; Hsieh, T. Y.; Kwong, D. L.; Liu, H. Y.; Brennan, R.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Jung, K. H.; Hsieh, T. Y.; Kwong, D. L.; Liu, H. Y.; Brennan, R.
卷第60卷
期第6期
印刷ISSN0003-6951
文件大小731.65KB
发表时间1992
DOI10.1063/1.106549

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