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Epitaxial Monocrystalline SiC Films Grown on Si by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition at 750°C

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Golecki, I.; Reidinger, F.; Marti, J.

期刊名称MRS Proceedings
作者Golecki, I.; Reidinger, F.; Marti, J.
卷第242卷
电子ISSN1946-4274
文件大小961.23KB
发表时间1992-1
DOI10.1557/proc-242-519

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