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Annealing behaviour of In impurities in SiC after ion implantation

Annealing behaviour of In impurities in SiC after ion implantation

J. Meier; N. Achtziger; T. Licht; M. Uhrmacher; W. Witthuhn

作者J. Meier; N. Achtziger; T. Licht; M. Uhrmacher; W. Witthuhn
卷第185卷
印刷ISSN0921-4526
文件大小337.19KB
发表时间1993
DOI10.1016/0921-4526(93)90238-2
页码207-210

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