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Impact‐ionization model consistent with the band structure of semiconductors

Impact‐ionization model consistent with the band structure of semiconductors

Sano, Nobuyuki; Yoshii, Akira
  • 作者Sano, Nobuyuki; Yoshii, Akira
  • 卷第77卷
  • 期第5期
  • 印刷ISSN0021-8979
  • 文件大小987.80KB
  • 发表时间1995
  • DOI10.1063/1.358839
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