High purity GaAs and AlGaAs grown using tertiarybutylarsine, trimethylaluminum, and trimethylgallium

R.M. Biefeld; H.C. Chui; B.E. Hammons; W.G. Breiland; T.M. Brennan; E.D. Jones; M.H. Kim; P. Grodzinski; K.H. Chang; H.C. Lee

作者R.M. Biefeld; H.C. Chui; B.E. Hammons; W.G. Breiland; T.M. Brennan; E.D. Jones; M.H. Kim; P. Grodzinski; K.H. Chang; H.C. Lee
卷第163卷
期第3期
印刷ISSN0022-0248
文件大小512.58KB
发表时间1996
DOI10.1016/0022-0248(95)00984-1
页码212-219

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