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Positron annihilation studies of defect properties in semi-insulating GaAs

Positron annihilation studies of defect properties in semi-insulating GaAs

Z. Q. Chen; X. W. Hu; S. J. Wang

作者Z. Q. Chen; X. W. Hu; S. J. Wang
卷第156卷
期第2期
印刷ISSN1862-6319
文件大小479.77KB
发表时间1996
DOI10.1002/pssa.2211560206
页码277-284

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