High field stressing effects on the split N2O grown thin gate dielectric by rapid thermal processing

• 作者Subrahmanyam, P.V.S.; Prabhakar, A.; Vasi, J.
• 卷第44卷
• 期第3期
• 印刷ISSN0018-9383
• 电子ISSN1557-9646
• 文件大小73.87KB
• 发表时间1997
• DOI10.1109/16.556163
• 页码505-508