New semiconductors TlInGaP and their gas source MBE growth

• 作者H. Asahi; M. Fushida; K. Yamamoto; K. Iwata; H. Koh; K. Asami; S. Gonda; K. Oe
• 印刷ISSN0022-0248
• 文件大小313.94KB
• 发表时间1997
• DOI10.1016/s0022-0248(96)00936-0
• 页码1195-1199