ChemInform Abstract: 12.3% Efficient CuIn1-xGaxSe2-Based Device from Electrodeposited Precursor.

R. N. BHATTACHARYA; H. WIESNER; T. A. BERENS; R. J. MATSON; J. KEANE; K. RAMANATHAN; A. SWARTZLANDER; A. MASON; R. N. NOUFI

作者R. N. BHATTACHARYA; H. WIESNER; T. A. BERENS; R. J. MATSON; J. KEANE; K. RAMANATHAN; A. SWARTZLANDER; A. MASON; R. N. NOUFI
卷第28卷
期第32期
印刷ISSN0931-7597
电子ISSN1522-2667
文件大小30.85KB
发表时间1997
DOI10.1002/chin.199732014

发现好书期刊，享受阅读乐趣