Investigation of MOVPE-grown GaN layers doped with As atoms
A. F. Tsatsul’nikov; B. Ya. Ber; A. P. Kartashova; Yu. A. Kudryavtsev; N. N. Ledentsov; V. V. Lundin; M. V. Maksimov; A. V. Sakharov; A. S. Usikov; Zh. I. Alfërov; A. Hoffmann
- 作者A. F. Tsatsul’nikov; B. Ya. Ber; A. P. Kartashova; Yu. A. Kudryavtsev; N. N. Ledentsov; V. V. Lundin; M. V. Maksimov; A. V. Sakharov; A. S. Usikov; Zh. I. Alfërov; A. Hoffmann
- 卷第33卷
- 期第7期
- 印刷ISSN1063-7826
- 电子ISSN1090-6479
- 文件大小45.83KB
- 发表时间1999-07
- DOI10.1134/1.1187770
- 页码728-730