发现好书期刊，享受阅读乐趣

海量图书期刊资源，随时随地畅享阅读乐趣

First principles modeling of magnetic random access memory devices (invited)

W. H. Butler; X. Zhang; T. C. Schulthess; D. M. C. Nicholson; A. B. Oparin; J. M. Maclaren

作者W. H. Butler; X. Zhang; T. C. Schulthess; D. M. C. Nicholson; A. B. Oparin; J. M. Maclaren
文件大小676.06KB
发表时间1999
DOI10.1063/1.369933