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Simulation of Si power MOSFET under cryogenic conditions

Simulation of Si power MOSFET under cryogenic conditions

R.J. Mauriello; K.B. Sundaram; L.C. Chow

作者R.J. Mauriello; K.B. Sundaram; L.C. Chow
卷第43卷
期第4期
印刷ISSN0038-1101
文件大小307.01KB
发表时间1999
DOI10.1016/s0038-1101(98)00330-x
页码771-777

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