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Physical basis for high-power semiconductor nanosecond opening switches

Physical basis for high-power semiconductor nanosecond opening switches

Grekhov, I.V.; Mesyats, G.A.

作者Grekhov, I.V.; Mesyats, G.A.
卷第28卷
期第5期
印刷ISSN0093-3813
电子ISSN1939-9375
文件大小93.35KB
发表时间2000
DOI10.1109/27.901229
页码1540-1544

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