AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor heterostructure field-effect transistors on SiC substrates
- 期刊名称Applied Physics Letters
- 作者Khan, M. Asif; Hu, X.; Tarakji, A.; Simin, G.; Yang, J.; Gaska, R.; Shur, M. S.
- 卷第77卷
- 期第9期
- 印刷ISSN0003-6951
- 文件大小302.88KB
- 发表时间2000
- DOI10.1063/1.1290269
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