发现好书期刊，享受阅读乐趣

海量图书期刊资源，随时随地畅享阅读乐趣

Atomic layer doping of SiGe – fundamentals and device applications

Atomic layer doping of SiGe – fundamentals and device applications

B. Tillack; B. Heinemann; D. Knoll

作者B. Tillack; B. Heinemann; D. Knoll
卷第369卷
印刷ISSN0040-6090
文件大小308.68KB
发表时间2000
DOI10.1016/s0040-6090(00)00804-x
页码189-194

← 返回【学霸图书馆】主页