Microstructure of (100) silicon wafer implanted by 1 MeV Ru+ ions

• 作者Y. L. Chen; G. Shao; J. Sharpe; R. M. Gwilliam; K. Reeson Kirkby; K. P. Homewood; M. J. Goringe
• 卷第36卷
• 期第2期
• 印刷ISSN0022-2461
• 电子ISSN1573-4803
• 文件大小427.87KB
• 发表时间2001-01-15
• DOI10.1023/a:1004803907430
• 页码321-327