'On-wafer' surface implanted high power, picosecond pulse InGaAsP/InP (λ = 1.53–1.55 μm) laser diodes

• 作者A. Paraskevopoulos; H.-J. Hensel; S. Schelhase; J. Frahm; J. Kübler; A. Denker; A. Gubenko; E.L. Portnoi
• 卷第33卷
• 印刷ISSN0306-8919
• 电子ISSN1572-817X
• 文件大小440.00KB
• 发表时间2001-07
• DOI10.1023/a:1017519432767
• 页码745-750