Localized electronic states around stacking faults in silicon carbide

• 期刊名称Physical Review B
• 作者Iwata, Hisaomi; Lindefelt, Ulf; Öberg, Sven; Briddon, Patrick R.
• 卷第65卷
• 期第3期
• 印刷ISSN0163-1829
• 电子ISSN1095-3795
• 文件大小119.80KB
• 发表时间2001-12-28
• DOI10.1103/PhysRevB.65.033203