First AlGaN/GaN metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor based on photoanodic oxide

• 期刊名称Electronics Letters
• 作者Rotter, T.; Mistele, D.; Stemmer, J.; Seyboth, M.; Schwegler, V.; Paprotta, S.; Fedler, F.; Klausing, H.; Semchinova, O.K.; Aderhold, J.; Graul, J.
• 卷第37卷
• 期第11期
• 印刷ISSN0013-5194
• 文件大小5.65KB
• 发表时间2001
• DOI10.1049/el:20010484