Carbon nanotube electron emitters with a gated structure using backside exposure processes

Chung, Deuk-Seok; Park, S. H.; Lee, H. W.; Choi, J. H.; Cha, S. N.; Kim, J. W.; Jang, J. E.; Min, K. W.; Cho, S. H.; Yoon, M. J.; Lee, J. S.; Lee, C. K.; Yoo, J. H.; Kim, Jong-Min; Jung, J. E.; Jin, Y. W.; Park, Y. J.; You, J. B.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Chung, Deuk-Seok; Park, S. H.; Lee, H. W.; Choi, J. H.; Cha, S. N.; Kim, J. W.; Jang, J. E.; Min, K. W.; Cho, S. H.; Yoon, M. J.; Lee, J. S.; Lee, C. K.; Yoo, J. H.; Kim, Jong-Min; Jung, J. E.; Jin, Y. W.; Park, Y. J.; You, J. B.
卷第80卷
期第21期
印刷ISSN0003-6951
文件大小425.82KB
发表时间2002
DOI10.1063/1.1480104

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Carbon nanotube electron emitters with a gated structure using backside exposure processes