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Mechanism of current leakage through metal/n-GaN interfaces

Mechanism of current leakage through metal/n-GaN interfaces

Susumu Oyama; Tamotsu Hashizume; Hideki Hasegawa

作者Susumu Oyama; Tamotsu Hashizume; Hideki Hasegawa
卷第190卷
印刷ISSN0169-4332
文件大小167.74KB
发表时间2002
DOI10.1016/s0169-4332(01)00902-3
页码322-325

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