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Stress-dependence tight binding study of tellurium-based II–VI semiconductors

Stress-dependence tight binding study of tellurium-based II–VI semiconductors

A.E. Merad; M.B. Kanoun; J. Cibert; H. Aourag; G. Merad

作者A.E. Merad; M.B. Kanoun; J. Cibert; H. Aourag; G. Merad
卷第315卷
印刷ISSN0375-9601
文件大小272.46KB
发表时间2003
DOI10.1016/s0375-9601(03)00974-5
页码143-149

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