Highly Reliable and Void-Free IMD Technology for High Density FRAM Device

KANG, S. K.; SONG, Y. J.; JOO, H. J.; KIM, H. H.; PARK, J. H.; KANG, Y. M.; KANG, E. Y.; LEE, S. Y.; KIM, KINAM

期刊名称Integrated Ferroelectrics
作者KANG, S. K.; SONG, Y. J.; JOO, H. J.; KIM, H. H.; PARK, J. H.; KANG, Y. M.; KANG, E. Y.; LEE, S. Y.; KIM, KINAM
卷第66卷
期第1期
印刷ISSN1058-4587
电子ISSN1607-8489
文件大小3082.79KB
发表时间2004-01
DOI10.1080/10584580490894582
页码29-34

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