Interfacial reaction depending on the stack structure of Al[sub 2]O[sub 3] and HfO[sub 2] during film growth and postannealing

Cho, M.-H.; Chung, K. B.; Chang, H. S.; Moon, D. W.; Park, S. A.; Kim, Y. K.; Jeong, K.; Whang, C. N.; Lee, D. W.; Ko, D.-H.; Doh, S. J.; Lee, J. H.; Lee, N. I.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Cho, M.-H.; Chung, K. B.; Chang, H. S.; Moon, D. W.; Park, S. A.; Kim, Y. K.; Jeong, K.; Whang, C. N.; Lee, D. W.; Ko, D.-H.; Doh, S. J.; Lee, J. H.; Lee, N. I.
卷第85卷
期第18期
印刷ISSN0003-6951
文件大小459.28KB
发表时间2004
DOI10.1063/1.1807968

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Interfacial reaction depending on the stack structure of Al[sub 2]O[sub 3] and HfO[sub 2] during film growth and postannealing