Two-dimensional methodology for modeling radiation-induced off-state leakage in CMOS technologies

• 期刊名称IEEE Transactions on Nuclear Science
• 作者Esqueda, I.S.; Barnaby, H.J.; Alles, M.L.
• 卷第52卷
• 期第6期
• 印刷ISSN0018-9499
• 文件大小406.49KB
• 发表时间2005-12
• DOI10.1109/tns.2005.860671
• 页码2259-2264