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Kinetic Model of Si Oxidation at HfO
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              /Si Interface with Post Deposition Annealing

Kinetic Model of Si Oxidation at HfO 2 /Si Interface with Post Deposition Annealing

Shimizu, Haruka; Kita, Koji; Kyuno, Kentaro; Toriumi, Akira
  • 期刊名称Japanese Journal of Applied Physics
  • 作者Shimizu, Haruka; Kita, Koji; Kyuno, Kentaro; Toriumi, Akira
  • 卷第44卷
  • 期第8期
  • 印刷ISSN0021-4922
  • 电子ISSN1347-4065
  • 文件大小630.57KB
  • 发表时间2005-8-5
  • DOI10.1143/jjap.44.6131
  • 页码6131-6135
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