Design of edge termination for GaN power Schottky diodes

• 作者J. R. Laroche; F. Ren; K. W. Baik; S. J. Pearton; B. S. Shelton; B. Peres
• 卷第34卷
• 期第4期
• 印刷ISSN0361-5235
• 电子ISSN1543-186X
• 文件大小372.57KB
• 发表时间2005
• DOI10.1007/s11664-005-0113-6
• 页码370-374