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4.3 mΩcm<sup>2</sup>, 1100 V 4H-SiC Implantation and Epitaxial MOSFET

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Harada, Shinsuke; Kato, Makoto; Okamoto, Mitsuo; Yatsuo, Tsutomu; Fukuda, Kenji; Arai, Kazuo
  • 期刊名称Materials Science Forum
  • 作者Harada, Shinsuke; Kato, Makoto; Okamoto, Mitsuo; Yatsuo, Tsutomu; Fukuda, Kenji; Arai, Kazuo
  • 电子ISSN1662-9752
  • 文件大小344.12KB
  • 发表时间2006
  • DOI10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1281
  • 页码1281-1284
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