[IEEE 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - Washington, DC, USA (2007.12.10-2007.12.12)] 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - A highly scaled, high performance 45 nm bulk logic CMOS technology with 0.242 μm² SRAM cell

Cheng, Kuan-Lun; Wu, C. C.; Wang, Y. P.; Lin, D. W.; Chu, C. M.; Tarng, Y. Y.; Lu, S. Y.; Yang, S. J.; Hsieh, M. H.; Liu, C. M.; Fu, S. P.; Chen, J. H.; Lin, C. T.; Lien, W. Y.; Huang, H. Y.; Wang, P. W.; Lin, H. H.; Lee, D. Y.; Huang, M. J.; Nieh, C. F.; Lin, L. T.; Chen, C. C.; Chang, W.; Chiu, Y. H.; Wang, M. Y.; Yeh, C. H.; Chen, F. C.; Wu, C. M.; Chang, Y. H.; Wang, S. C.; Hsieh, H. C.; Lei, M. D.; Goto, K.; Tao, H. J.; Cao, M.; Tuan, H. C.; Diaz, C. H.; Mii, Y. J.

作者Cheng, Kuan-Lun; Wu, C. C.; Wang, Y. P.; Lin, D. W.; Chu, C. M.; Tarng, Y. Y.; Lu, S. Y.; Yang, S. J.; Hsieh, M. H.; Liu, C. M.; Fu, S. P.; Chen, J. H.; Lin, C. T.; Lien, W. Y.; Huang, H. Y.; Wang, P. W.; Lin, H. H.; Lee, D. Y.; Huang, M. J.; Nieh, C. F.; Lin, L. T.; Chen, C. C.; Chang, W.; Chiu, Y. H.; Wang, M. Y.; Yeh, C. H.; Chen, F. C.; Wu, C. M.; Chang, Y. H.; Wang, S. C.; Hsieh, H. C.; Lei, M. D.; Goto, K.; Tao, H. J.; Cao, M.; Tuan, H. C.; Diaz, C. H.; Mii, Y. J.
文件大小2465.04KB
发表时间2007
DOI10.1109/IEDM.2007.4418913
页码243-246

发现好书期刊，享受阅读乐趣

[IEEE 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - Washington, DC, USA (2007.12.10-2007.12.12)] 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - A highly scaled, high performance 45 nm bulk logic CMOS technology with 0.242 μm2 SRAM cell

[IEEE 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - Washington, DC, USA (2007.12.10-2007.12.12)] 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - A highly scaled, high performance 45 nm bulk logic CMOS technology with 0.242 μm² SRAM cell