Investigation on Resistive Memory Switching Mechanism of NiO

KIM, D. C.; SEO, S.; SUH, D.-S.; JUNG, R.; LEE, C. W.; SHIN, J. K.; YOO, I. K.; BAEK, I. G.; KIM, H. J.; YIM, E. K.; LEE, C. W.; PARK, S. O.; KIM, H. S.; CHUNG, U-IN; MOON, J. T.; RYU, B. I.; KIM, J.-S.; PARK, B. H.

期刊名称Integrated Ferroelectrics
作者KIM, D. C.; SEO, S.; SUH, D.-S.; JUNG, R.; LEE, C. W.; SHIN, J. K.; YOO, I. K.; BAEK, I. G.; KIM, H. J.; YIM, E. K.; LEE, C. W.; PARK, S. O.; KIM, H. S.; CHUNG, U-IN; MOON, J. T.; RYU, B. I.; KIM, J.-S.; PARK, B. H.
卷第93卷
期第1期
印刷ISSN1058-4587
电子ISSN1607-8489
文件大小317.74KB
发表时间2007-12-11
DOI10.1080/10584580701756169
页码90-97

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Investigation on Resistive Memory Switching Mechanism of NiO