ELECTRONIC PARAMETER AND SUBBAND STRUCTURE VARIATIONS DUE TO AN EMBEDDED AlN POTENTIAL BARRIER LAYER IN Al
0.3
Ga
0.7
N/GaN HETEROSTRUCTURES
HAN, S. M.; KIM, S. Y.; CHOO, D. C.; JUNG, J. I.; KIM, T. W.; YOO, K. H.; JO, Y. H.; JUNG, M. H.; CHO, H. I.; LEE, J. H.; RAM-MOHAN, L. R.
- 期刊名称Surface Review and Letters
- 作者HAN, S. M.; KIM, S. Y.; CHOO, D. C.; JUNG, J. I.; KIM, T. W.; YOO, K. H.; JO, Y. H.; JUNG, M. H.; CHO, H. I.; LEE, J. H.; RAM-MOHAN, L. R.
- 卷第14卷
- 期第4期
- 印刷ISSN0218-625X
- 电子ISSN1793-6667
- 文件大小293.88KB
- 发表时间2007-08
- DOI10.1142/S0218625X07010305
- 页码807-811