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ELECTRONIC PARAMETER AND SUBBAND STRUCTURE VARIATIONS DUE TO AN EMBEDDED AlN POTENTIAL BARRIER LAYER IN Al 0.3 Ga 0.7 N/GaN HETEROSTRUCTURES

HAN, S. M.; KIM, S. Y.; CHOO, D. C.; JUNG, J. I.; KIM, T. W.; YOO, K. H.; JO, Y. H.; JUNG, M. H.; CHO, H. I.; LEE, J. H.; RAM-MOHAN, L. R.
  • 期刊名称Surface Review and Letters
  • 作者HAN, S. M.; KIM, S. Y.; CHOO, D. C.; JUNG, J. I.; KIM, T. W.; YOO, K. H.; JO, Y. H.; JUNG, M. H.; CHO, H. I.; LEE, J. H.; RAM-MOHAN, L. R.
  • 卷第14卷
  • 期第4期
  • 印刷ISSN0218-625X
  • 电子ISSN1793-6667
  • 文件大小293.88KB
  • 发表时间2007-08
  • DOI10.1142/S0218625X07010305
  • 页码807-811
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